集成有肖特基二极管的功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220319049.X

申请日：

2012-07-04

公开(公告)号：

CN202712186U

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

唐纳徳·迪斯尼

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区科新路8号成都芯源系统有限公司

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2702

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20120704 授权公告日:20130130 终止日期:20180704
2013-01-30	授权	授权

共 50 条

[31]

集成肖特基二极管的SiC UMOSFET [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222721866U ,2025-04-04

[32]

用于 HEMT 的集成肖特基二极管 [P].

格哈德·普雷希特尔 ;

奥利弗·黑贝伦 ;

克莱门斯·奥斯特迈尔 .

中国专利 :CN103337499B ,2013-10-02

[33]

高压肖特基二极管器件 [P].

杨新杰 .

中国专利 :CN105161546A ,2015-12-16

[34]

外延片及肖特基二极管 [P].

邢东 ;

冯志红 ;

赵向阳 ;

王元刚 .

中国专利 :CN208690266U ,2019-04-02

[35]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[36]

高压肖特基二极管器件 [P].

杨新杰 .

中国专利 :CN105206685A ,2015-12-30

[37]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

[38]

肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

李永顺 ;

陈新倩 ;

刘新新 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119153490A ,2024-12-17

[39]

肖特基二极管以及制备该肖特基二极管的方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112201697B ,2024-09-24

[40]

肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管 [P].

林威 .

中国专利 :CN112531008A ,2021-03-19

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