ZnO肖特基二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN02260517.7

申请日：

2002-09-28

公开(公告)号：

CN2570985Y

公开(公告)日：

2003-09-03

发明(设计)人：

叶志镇李蓓黄靖云张海燕

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

法律状态：

专利权的终止未缴年费专利权终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-22	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种ZnO肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

李蓓 ;

黄靖云 ;

张海燕 .

中国专利 :CN1405899A ,2003-03-26

[2]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213184303U ,2021-05-11

[3]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213242560U ,2021-05-18

[4]

肖特基二极管 [P].

李万 ;

黄维 ;

童薇 ;

曹浪波 ;

彭志高 .

中国专利 :CN223286133U ,2025-08-29

[5]

肖特基二极管 [P].

A·伊万 ;

D·阿尔奎尔 ;

Y·科尔迪耶 .

中国专利 :CN204516775U ,2015-07-29

[6]

片式肖特基二极管 [P].

赵为涛 ;

张录周 .

中国专利 :CN202189796U ,2012-04-11

[7]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

[8]

高频肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

张海燕 ;

黄靖云 ;

李蓓 .

中国专利 :CN1171319C ,2003-01-01

[9]

肖特基二极管 [P].

余杰 .

中国专利 :CN201877436U ,2011-06-22

[10]

肖特基二极管 [P].

刘宪成 ;

梁勇 ;

陈向东 ;

方佼 ;

李其鲁 .

中国专利 :CN203013739U ,2013-06-19

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