片式肖特基二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120277829.8

申请日：

2011-08-02

公开(公告)号：

CN202189796U

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

赵为涛张录周

申请人：

申请人地址：

276017 山东省临沂市高新技术产业开发区罗六路113号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2943

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-11	授权	授权
2014-10-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587308394 IPC(主分类):H01L 29/872 专利号:ZL2011202778298 申请日:20110802 授权公告日:20120411 终止日期:20130802

共 50 条

[1]

片式肖特基二极管 [P].

王毅 ;

殷俊 ;

陈晓华 .

中国专利 :CN201741701U ,2011-02-09

[2]

高频肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

张海燕 ;

黄靖云 ;

李蓓 .

中国专利 :CN1171319C ,2003-01-01

[3]

肖特基二极管 [P].

韩建军 .

中国专利 :CN201126822Y ,2008-10-01

[4]

一种肖特基二极管 [P].

赵为涛 ;

苗本秀 ;

张录周 .

中国专利 :CN202189789U ,2012-04-11

[5]

一种肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

张海燕 ;

黄靖云 ;

李蓓 .

中国专利 :CN2562372Y ,2003-07-23

[6]

一种肖特基二极管 [P].

徐谦刚 ;

王林 ;

蒲耀川 ;

李昊 ;

张志向 ;

张晓情 ;

崔振华 ;

张玲玲 ;

梁小龙 ;

王丽华 .

中国专利 :CN201556623U ,2010-08-18

[7]

肖特基二极管 [P].

J·迪特尔 ;

H·塔迪肯 .

中国专利 :CN100409458C ,2005-07-13

[8]

锗硅肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

赵星 ;

刘国军 .

中国专利 :CN2826699Y ,2006-10-11

[9]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

[10]

ZnO肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

李蓓 ;

黄靖云 ;

张海燕 .

中国专利 :CN2570985Y ,2003-09-03

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