一种肖特基二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200920222117.9

申请日：

2009-12-14

公开(公告)号：

CN201556623U

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

徐谦刚王林蒲耀川李昊张志向张晓情崔振华张玲玲梁小龙王丽华

申请人：

申请人地址：

741000 甘肃省天水市秦州区环城西路7号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2947 H01L2360

代理机构：

甘肃省知识产权事务中心 62100

代理人：

周春雷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	授权	授权
2014-02-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101569330535 IPC(主分类):H01L 29/872 专利号:ZL2009202221179 申请日:20091214 授权公告日:20100818 终止日期:20121214

共 50 条

[1]

片式肖特基二极管 [P].

赵为涛 ;

张录周 .

中国专利 :CN202189796U ,2012-04-11

[2]

一种肖特基二极管 [P].

王作义 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

马洪文 ;

白磊 .

中国专利 :CN205692841U ,2016-11-16

[3]

一种肖特基二极管 [P].

赵为涛 ;

苗本秀 ;

张录周 .

中国专利 :CN202189789U ,2012-04-11

[4]

一种肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

张海燕 ;

黄靖云 ;

李蓓 .

中国专利 :CN2562372Y ,2003-07-23

[5]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

[6]

ZnO肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

李蓓 ;

黄靖云 ;

张海燕 .

中国专利 :CN2570985Y ,2003-09-03

[7]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213184303U ,2021-05-11

[8]

肖特基二极管 [P].

余杰 .

中国专利 :CN201877436U ,2011-06-22

[9]

肖特基二极管 [P].

刘宪成 ;

梁勇 ;

陈向东 ;

方佼 ;

李其鲁 .

中国专利 :CN203013739U ,2013-06-19

[10]

肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN217214725U ,2022-08-16

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