一种肖特基二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN02265178.0

申请日：

2002-06-26

公开(公告)号：

CN2562372Y

公开(公告)日：

2003-07-23

发明(设计)人：

叶志镇张海燕黄靖云李蓓

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

法律状态：

专利权的终止未缴年费专利权终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-23	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-07-23	授权	授权

共 50 条

[1]

高频肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

张海燕 ;

黄靖云 ;

李蓓 .

中国专利 :CN1171319C ,2003-01-01

[2]

片式肖特基二极管 [P].

王毅 ;

殷俊 ;

陈晓华 .

中国专利 :CN201741701U ,2011-02-09

[3]

片式肖特基二极管 [P].

赵为涛 ;

张录周 .

中国专利 :CN202189796U ,2012-04-11

[4]

一种肖特基二极管 [P].

赵为涛 ;

苗本秀 ;

张录周 .

中国专利 :CN202189789U ,2012-04-11

[5]

一种肖特基二极管的原型器件 [P].

叶志镇 ;

袁国栋 ;

黄靖云 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN2615867Y ,2004-05-12

[6]

肖特基二极管 [P].

韩建军 .

中国专利 :CN201126822Y ,2008-10-01

[7]

锗硅肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

赵星 ;

刘国军 .

中国专利 :CN2826699Y ,2006-10-11

[8]

一种肖特基二极管 [P].

徐谦刚 ;

王林 ;

蒲耀川 ;

李昊 ;

张志向 ;

张晓情 ;

崔振华 ;

张玲玲 ;

梁小龙 ;

王丽华 .

中国专利 :CN201556623U ,2010-08-18

[9]

一种肖特基二极管 [P].

王作义 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

马洪文 ;

白磊 .

中国专利 :CN205692841U ,2016-11-16

[10]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

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