一种ZnO肖特基二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN02137322.1
申请日
2002-09-28
公开(公告)号
CN1405899A
公开(公告)日
2003-03-26
发明(设计)人
叶志镇 李蓓 黄靖云 张海燕
申请人
申请人地址
310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司
代理人
韩介梅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
ZnO肖特基二极管 [P]. 
叶志镇 ;
李蓓 ;
黄靖云 ;
张海燕 .
中国专利 :CN2570985Y ,2003-09-03
[2]
高频肖特基二极管 [P]. 
叶志镇 ;
张海燕 ;
黄靖云 ;
李蓓 .
中国专利 :CN1171319C ,2003-01-01
[3]
肖特基二极管 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN213184303U ,2021-05-11
[4]
肖特基二极管 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN213242560U ,2021-05-18
[5]
肖特基二极管 [P]. 
李万 ;
黄维 ;
童薇 ;
曹浪波 ;
彭志高 .
中国专利 :CN223286133U ,2025-08-29
[6]
肖特基二极管 [P]. 
费拉·阿珂哈利尔 ;
理查德·普赖斯 ;
布莱恩·科布 .
中国专利 :CN111699561A ,2020-09-22
[7]
肖特基二极管 [P]. 
王飞 .
中国专利 :CN103035751A ,2013-04-10
[8]
肖特基二极管 [P]. 
费拉·阿珂哈利尔 ;
理查德·普赖斯 ;
布莱恩·科布 .
英国专利 :CN120676651A ,2025-09-19
[9]
肖特基二极管 [P]. 
A·伊万 ;
D·阿尔奎尔 ;
Y·科尔迪耶 .
中国专利 :CN204516775U ,2015-07-29
[10]
肖特基二极管 [P]. 
斯特凡·斯塔罗韦茨基 ;
奥尔加·克雷姆帕斯卡 ;
马丁·普雷德梅尔斯基 .
中国专利 :CN202549849U ,2012-11-21