肖特基二极管的制备方法和肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610475075.4

申请日：

2016-06-24

公开(公告)号：

CN107546124A

公开(公告)日：

2018-01-05

发明(设计)人：

李理赵圣哲马万里姜春亮

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L29872

代理机构：

北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343

代理人：

尚志峰;汪海屏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	公开	公开
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20160624
2020-07-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/329 申请公布日:20180105

共 50 条

[1]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[2]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

[3]

肖特基二极管的加工方法和肖特基二极管 [P].

刘美华 ;

陈建国 ;

林信南 .

中国专利 :CN106328719A ,2017-01-11

[4]

片式肖特基二极管 [P].

王毅 ;

殷俊 ;

陈晓华 .

中国专利 :CN201741701U ,2011-02-09

[5]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353A ,2020-12-15

[6]

肖特基二极管 [P].

洪崇祐 ;

胡智闵 ;

陈永初 ;

龚正 .

中国专利 :CN102347373B ,2012-02-08

[7]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353B ,2024-10-01

[8]

肖特基二极管 [P].

韩建军 .

中国专利 :CN201126822Y ,2008-10-01

[9]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252A ,2022-07-05

[10]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252B ,2025-09-19

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