一种高κ/p-GaN异质结MIS-HEMT

被引：0

申请号：

CN202220867440.7

申请日：

2022-04-15

公开(公告)号：

CN217468440U

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

郑理尤天刚

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园D1幢507室苏州沣芯科技有限公司

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29205

代理机构：

北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265

代理人：

王静思

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于低温非金欧姆接触工艺的高κ/p-GaN异质结MIS-HEMT及其制造方法 [P].

郑理 ;

尤天刚 .

中国专利 :CN114864400A ,2022-08-05

[2]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[3]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[4]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[5]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[6]

基于p-GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS-HEMT器件及其制作方法 [P].

敖金平 ;

蒲涛飞 ;

王霄 ;

补钰煜 ;

刘辰阳 .

中国专利 :CN109244130A ,2019-01-18

[7]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[8]

AlGaN/GaN MIS-HEMT的制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230709A ,2017-10-03

[9]

基于GaN MIS-HEMT的金属间介电层平整方法以及使用其的GaN MIS-HEMT [P].

廖仕晃 ;

陈旷举 ;

黄尧峯 ;

林弘骥 .

中国专利 :CN120356826A ,2025-07-22

[10]

一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法 [P].

崔鹏 ;

代嘉铖 ;

崔潆心 ;

钟宇 ;

李汉和 ;

徐明升 ;

李树强 ;

韩吉胜 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN116387158B ,2024-02-02

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