MIS-HEMT器件的界面态分析方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080005984.6

申请日：

2020-04-02

公开(公告)号：

CN112955760B

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

林信南熊树豪

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R2726 H01L2166

代理机构：

深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281

代理人：

郭燕;彭家恩

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	公开	公开
2022-05-31	授权	授权
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20200402

共 50 条

[1]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[2]

改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695156B ,2018-10-23

[3]

金刚石MIS-HEMT器件及其制造方法 [P].

彭祖军 ;

黄雪润 ;

庞体强 ;

杨家乐 ;

潘鹏 ;

何申伟 ;

李珂 .

中国专利 :CN119630011A ,2025-03-14

[4]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[5]

一种新型MIS-HEMT器件结构 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN209766428U ,2019-12-10

[6]

具有复合层结构的高压MIS-HEMT器件 [P].

罗谦 ;

范镇 ;

姜玄青 .

中国专利 :CN113394284A ,2021-09-14

[7]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN110581170A ,2019-12-17

[8]

具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN110571267A ,2019-12-13

[9]

双栅极MIS-HEMT器件、双向开关器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

王昱博 ;

袁晨杰 ;

刘雯 .

中国专利 :CN114284355A ,2022-04-05

[10]

基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110718584A ,2020-01-21

← 1 2 3 4 5 →