金刚石MIS-HEMT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311180792.0

申请日：

2023-09-13

公开(公告)号：

CN119630011A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

彭祖军黄雪润庞体强杨家乐潘鹏何申伟李珂

申请人：

钱塘科技创新中心

申请人地址：

310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道23号大街1002号5号楼

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/10

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

陈靖康

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[2]

一种复合结构栅介质及其制备方法、GaN基MIS-HEMT器件及其制备工艺与应用 [P].

曹平予 ;

李政宣 ;

梁烨 ;

赵克鹏 ;

徐亦昊 ;

崔苗 ;

薛飞 .

中国专利 :CN121038346A ,2025-11-28

[3]

改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695156B ,2018-10-23

[4]

具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16

[5]

基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110718584A ,2020-01-21

[6]

基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110718584B ,2024-03-26

[7]

一种新型MIS-HEMT器件结构及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110556423A ,2019-12-10

[8]

一种新型MIS-HEMT器件结构 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN209766428U ,2019-12-10

[9]

双栅极MIS-HEMT器件、双向开关器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

王昱博 ;

袁晨杰 ;

刘雯 .

中国专利 :CN114284355A ,2022-04-05

[10]

金刚石衬底及其制造方法 [P].

目黑贵一 ;

谷崎圭祐 ;

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN1840748A ,2006-10-04

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