双栅极氮化镓MIS-HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110054671.6

申请日：

2021-01-15

公开(公告)号：

CN112802893A

公开(公告)日：

2021-05-14

发明(设计)人：

张元雷蔡宇韬梁烨刘雯赵策洲

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29778 H01L2128 H01L21335

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

叶栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20210115
2021-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

双栅极MIS-HEMT器件、双向开关器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

王昱博 ;

袁晨杰 ;

刘雯 .

中国专利 :CN114284355A ,2022-04-05

[2]

一种氮化镓MIS-HEMT器件结构 [P].

王锋 ;

胡坤怀 ;

张秀敏 ;

杜高云 ;

郑宝玉 ;

李宏磊 ;

黄慧诗 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119486188A ,2025-02-18

[3]

一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法 [P].

吴燕庆 ;

詹丹 ;

李学飞 .

中国专利 :CN111933708A ,2020-11-13

[4]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[5]

一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张保平 .

中国专利 :CN113745333B ,2024-10-01

[6]

改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695156B ,2018-10-23

[7]

Ⅲ族氮化物增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

张志利 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158947A ,2016-11-23

[8]

一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

唐振凌 ;

马晓华 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111668304A ,2020-09-15

[9]

一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

马晓华 ;

唐振凌 ;

王小虎 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111668305A ,2020-09-15

[10]

金刚石MIS-HEMT器件及其制造方法 [P].

彭祖军 ;

黄雪润 ;

庞体强 ;

杨家乐 ;

潘鹏 ;

何申伟 ;

李珂 .

中国专利 :CN119630011A ,2025-03-14

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