一种具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921308656.4

申请日：

2019-08-13

公开(公告)号：

CN214378453U

公开(公告)日：

2021-10-08

发明(设计)人：

王洪高升周泉斌廖碧艳

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21335 H01L29778

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	授权	授权

共 50 条

[1]

具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN110571267A ,2019-12-13

[2]

具有NiO<sub>X</sub>保护层的MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN110571267B ,2024-09-27

[3]

具有复合层结构的高压MIS-HEMT器件 [P].

罗谦 ;

范镇 ;

姜玄青 .

中国专利 :CN113394284A ,2021-09-14

[4]

一种新型MIS-HEMT器件结构 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN209766428U ,2019-12-10

[5]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[6]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[7]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN110581170A ,2019-12-17

[8]

一种新型MIS-HEMT器件结构及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110556423A ,2019-12-10

[9]

一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN212209500U ,2020-12-22

[10]

一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张保平 .

中国专利 :CN113745333B ,2024-10-01

← 1 2 3 4 5 →