一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020366243.8

申请日：

2020-03-21

公开(公告)号：

CN212209500U

公开(公告)日：

2020-12-22

发明(设计)人：

王洪高升刘晓艺

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2331 H01L2329 H01L2156 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN111403481A ,2020-07-10

[2]

一种具有Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层的HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN111403481B ,2025-01-21

[3]

Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110010670A ,2019-07-12

[4]

Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110047922A ,2019-07-23

[5]

一种基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件 [P].

戴贻钧 ;

郭炜 ;

陈荔 ;

叶继春 .

中国专利 :CN112968054A ,2021-06-15

[6]

一种具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN214378453U ,2021-10-08

[7]

一种制备β-Ga2O3薄膜方法 [P].

邢艳辉 ;

张尧 ;

韩军 ;

曹旭 .

中国专利 :CN110195217A ,2019-09-03

[8]

Ga2O3 系半导体元件 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN103782392A ,2014-05-07

[9]

Ga2O3系半导体元件 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN103765593B ,2014-04-30

[10]

一种用γ-Al2O3制备α-Al2O3单晶体的烧结炉 [P].

林志高 .

中国专利 :CN203007482U ,2013-06-19

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