一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010204555.3

申请日：

2020-03-21

公开(公告)号：

CN111403481A

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

王洪高升刘晓艺

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2331 H01L2329 H01L2156 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200321
2020-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN212209500U ,2020-12-22

[2]

一种具有Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层的HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN111403481B ,2025-01-21

[3]

具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN110571267A ,2019-12-13

[4]

一种基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件 [P].

戴贻钧 ;

郭炜 ;

陈荔 ;

叶继春 .

中国专利 :CN112968054A ,2021-06-15

[5]

一种具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN214378453U ,2021-10-08

[6]

一种制备β-Ga2O3薄膜方法 [P].

邢艳辉 ;

张尧 ;

韩军 ;

曹旭 .

中国专利 :CN110195217A ,2019-09-03

[7]

具有NiO<sub>X</sub>保护层的MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN110571267B ,2024-09-27

[8]

一种Ga2O3材料的图案化方法 [P].

马永健 ;

张晓东 ;

何涛 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114373684A ,2022-04-19

[9]

基于Ga2O3材料的帽层复合双栅PMOSFET及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

张弘鹏 ;

元磊 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106783979B ,2017-05-31

[10]

基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET及其制备方法 [P].

元磊 ;

张弘鹏 ;

贾仁需 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106847699B ,2017-06-13

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