Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910099876.9

申请日：

2012-09-07

公开(公告)号：

CN110047922A

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

佐佐木公平东胁正高

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2978 H01L29786 H01L29812 H01L2102 H01L2134 H01L2904 H01L2915 H01L2924 H01L2936 H01L29417

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

徐谦;刘宁军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110010670A ,2019-07-12

[2]

Ga2O3系半导体元件 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN103765593B ,2014-04-30

[3]

Ga2O3 系半导体元件 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN103782392A ,2014-05-07

[4]

β-Ga2O3系单晶膜的生长方法和晶体层叠结构体 [P].

后藤健 ;

佐佐木公平 ;

绞缬明伯 ;

熊谷义直 ;

村上尚 .

中国专利 :CN113832544A ,2021-12-24

[5]

β-Ga2O3系单晶膜的生长方法和晶体层叠结构体 [P].

后藤健 ;

佐佐木公平 ;

绞缬明伯 ;

熊谷义直 ;

村上尚 .

中国专利 :CN105992841A ,2016-10-05

[6]

β-Ga2O3系单晶膜的生长方法和晶体层叠结构体 [P].

后藤健 ;

佐佐木公平 ;

绞缬明伯 ;

熊谷义直 ;

村上尚 .

日本专利 :CN113832544B ,2024-06-14

[7]

基于Ga2O3材料的U型栅MOSFET及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

张弘鹏 ;

元磊 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106449419A ,2017-02-22

[8]

利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法 [P].

邓金祥 ;

张浩 ;

潘志伟 ;

白志英 .

中国专利 :CN107513695A ,2017-12-26

[9]

一种同质外延β-Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

张涛 ;

冯倩 ;

张雅超 ;

张进成 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113517173A ,2021-10-19

[10]

一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN212209500U ,2020-12-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/772 申请日:20120907
2019-07-23	公开	公开