镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920359211.2

申请日：

2019-03-21

公开(公告)号：

CN210092092U

公开(公告)日：

2020-02-18

发明(设计)人：

李国强万利军刘智崑陈丁波孙佩椰阙显沣姚书南李润泽

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;江裕强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

万利军 ;

刘智崑 ;

陈丁波 ;

孙佩椰 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN109888013A ,2019-06-14

[2]

湿法腐蚀辅助掺杂制备的增强型GaN HEMT器件及制备方法 [P].

李国强 ;

万利军 ;

孙佩椰 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110911484A ,2020-03-24

[3]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[4]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

[5]

GaN基增强型HEMT器件的制备方法 [P].

周宇 ;

钟耀宗 ;

孙钱 ;

冯美鑫 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107768248A ,2018-03-06

[6]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

[7]

一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108231880B ,2018-06-29

[8]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[9]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[10]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

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