镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910215307.6

申请日：

2019-03-21

公开(公告)号：

CN109888013A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

李国强万利军刘智崑陈丁波孙佩椰阙显沣姚书南李润泽

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;江裕强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	公开	公开
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190321

共 50 条

[1]

镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件 [P].

李国强 ;

万利军 ;

刘智崑 ;

陈丁波 ;

孙佩椰 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN210092092U ,2020-02-18

[2]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[3]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

[4]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[5]

GaN基增强型HEMT器件的制备方法 [P].

周宇 ;

钟耀宗 ;

孙钱 ;

冯美鑫 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107768248A ,2018-03-06

[6]

一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108231880B ,2018-06-29

[7]

沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510088A ,2021-03-16

[8]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

[9]

GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法 [P].

张有润 ;

刘程嗣 ;

刘影 ;

庞慧娇 ;

胡刚毅 ;

张波 .

中国专利 :CN107195670A ,2017-09-22

[10]

增强型GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109545851A ,2019-03-29

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