增强型GaN基功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811227030.0

申请日：

2018-10-22

公开(公告)号：

CN109545851A

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

张卫卢红亮黄伟蒋西西

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20190329
2019-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20181022
2019-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109560134A ,2019-04-02

[2]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115376919A ,2022-11-22

[3]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[4]

增强型GaN功率器件 [P].

魏进 ;

杨俊杰 .

中国专利 :CN119342873A ,2025-01-21

[5]

一种增强型GaN功率器件制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115116849A ,2022-09-27

[6]

镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

万利军 ;

刘智崑 ;

陈丁波 ;

孙佩椰 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN109888013A ,2019-06-14

[7]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN118198123A ,2024-06-14

[8]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN114843341A ,2022-08-02

[9]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN114883406A ,2022-08-09

[10]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN118198123B ,2024-10-01

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