一种增强型GaN功率器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210384867.6

申请日：

2022-04-13

公开(公告)号：

CN114843341A

公开(公告)日：

2022-08-02

发明(设计)人：

武乐可夏远洋范晓成李亦衡朱廷刚

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2331 H01L2156 H01L21335

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

杜阳阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-02	公开	公开
2022-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220413

共 50 条

[1]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115376919A ,2022-11-22

[2]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN118198123A ,2024-06-14

[3]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN114883406A ,2022-08-09

[4]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN118198123B ,2024-10-01

[5]

增强型GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109545851A ,2019-03-29

[6]

增强型GaN功率器件 [P].

魏进 ;

杨俊杰 .

中国专利 :CN119342873A ,2025-01-21

[7]

一种增强型GaN功率器件制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115116849A ,2022-09-27

[8]

一种N面增强型GaN双向功率器件及其制备方法 [P].

刘勇 ;

罗鹏 ;

刘家才 .

中国专利 :CN119133228A ,2024-12-13

[9]

一种增强型GaN功率器件的制造方法 [P].

武乐可 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115602540A ,2023-01-13

[10]

一种增强型GaN器件及其制备方法 [P].

孙鹏 ;

邓光敏 .

中国专利 :CN118098966A ,2024-05-28

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