凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311725665.4

申请日：

2023-12-15

公开(公告)号：

CN117438457B

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

邹鹏辉王文博马飞

申请人：

浙江集迈科微电子有限公司

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/20 H01L29/207 H01L29/205 H01L29/06 H01L21/335

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省

引用

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共 50 条

[1]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[2]

一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

董高峰 ;

刘志宏 ;

唐从威 ;

许美 ;

邢伟川 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118738116A ,2024-10-01

[3]

沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510088A ,2021-03-16

[4]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

[5]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[6]

一种制备增强型GaN HEMT器件的凹槽栅刻蚀方法 [P].

林信南 ;

牛荣康 .

中国专利 :CN109841520A ,2019-06-04

[7]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[8]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[9]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[10]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20231215
2024-01-23	公开	公开
2024-03-22	授权	授权