一种制备增强型GaN HEMT器件的凹槽栅刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910168911.8

申请日：

2019-03-06

公开(公告)号：

CN109841520A

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

林信南牛荣康

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L213063 H01L29778

代理机构：

深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281

代理人：

李小焦;郭燕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20190306
2019-06-04	公开	公开
2023-01-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20190604

共 50 条

[1]

一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

董高峰 ;

刘志宏 ;

唐从威 ;

许美 ;

邢伟川 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118738116A ,2024-10-01

[2]

一种增强型GaN HEMT环形栅下刻蚀器件及其制备方法 [P].

朱彦旭 ;

李建伟 ;

谭张杨 ;

李锜轩 ;

王猜 ;

魏昭 .

中国专利 :CN113161239A ,2021-07-23

[3]

一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

张静 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120751729B ,2025-12-30

[4]

基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法 [P].

张炳良 ;

杜仲凯 ;

刘雷 .

中国专利 :CN114068329A ,2022-02-18

[5]

基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法 [P].

张炳良 ;

杜仲凯 ;

刘雷 .

中国专利 :CN114068329B ,2025-10-10

[6]

一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

张静 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120751729A ,2025-10-03

[7]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457B ,2024-03-22

[8]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[9]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[10]

沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510088A ,2021-03-16

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