基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111382039.0

申请日：

2021-11-19

公开(公告)号：

CN114068329B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

张炳良杜仲凯刘雷

申请人：

苏州能屋电子科技有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H01L21/306 H10D30/47

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法 [P].

张炳良 ;

杜仲凯 ;

刘雷 .

中国专利 :CN114068329A ,2022-02-18

[2]

一种制备增强型GaN HEMT器件的凹槽栅刻蚀方法 [P].

林信南 ;

牛荣康 .

中国专利 :CN109841520A ,2019-06-04

[3]

用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

刘智崑 ;

万利军 ;

陈丁波 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN209929264U ,2020-01-10

[4]

用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

刘智崑 ;

万利军 ;

陈丁波 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN109887872B ,2024-11-15

[5]

用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

刘智崑 ;

万利军 ;

陈丁波 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN109887872A ,2019-06-14

[6]

一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

董高峰 ;

刘志宏 ;

唐从威 ;

许美 ;

邢伟川 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118738116A ,2024-10-01

[7]

基于P型栅的增强型HEMT及其制备方法 [P].

杜仲凯 ;

张炳良 ;

刘雷 .

中国专利 :CN114171387A ,2022-03-11

[8]

p型栅增强型HEMT器件 [P].

张宝顺 ;

徐宁 ;

杜仲凯 .

中国专利 :CN208819832U ,2019-05-03

[9]

P型栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

谢勇 .

中国专利 :CN115312599A ,2022-11-08

[10]

刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法 [P].

张志利 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158693A ,2016-11-23

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