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用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910252334.0
申请日：
2019-03-29
公开(公告)号：
CN109887872B
公开(公告)日：
2024-11-15
发明(设计)人：
李国强 孙佩椰 刘智崑 万利军 陈丁波 阙显沣 姚书南 李润泽
申请人：
华南理工大学
申请人地址：
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号：
H01L21/67
IPC分类号：
H01L21/3065 H01L29/423 H01L29/778 H01J37/32
代理机构：
广东捷成专利商标代理事务所(普通合伙) 44770
代理人：
宋安东
法律状态：
授权
国省代码：
广东省 广州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-15 授权 授权
共 50 条
[1]
用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法 [P]. 
李国强 ;
孙佩椰 ;
刘智崑 ;
万利军 ;
陈丁波 ;
阙显沣 ;
姚书南 ;
李润泽 .
中国专利 :CN109887872A ,2019-06-14
[2]
用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置 [P]. 
李国强 ;
孙佩椰 ;
刘智崑 ;
万利军 ;
陈丁波 ;
阙显沣 ;
姚书南 ;
李润泽 .
中国专利 :CN209929264U ,2020-01-10
[3]
一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董高峰 ;
刘志宏 ;
唐从威 ;
许美 ;
邢伟川 ;
周瑾 ;
冯欣 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN118738116A ,2024-10-01
[4]
一种制备增强型GaN HEMT器件的凹槽栅刻蚀方法 [P]. 
林信南 ;
牛荣康 .
中国专利 :CN109841520A ,2019-06-04
[5]
基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法 [P]. 
张炳良 ;
杜仲凯 ;
刘雷 .
中国专利 :CN114068329A ,2022-02-18
[6]
基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法 [P]. 
张炳良 ;
杜仲凯 ;
刘雷 .
中国专利 :CN114068329B ,2025-10-10
[7]
一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法 [P]. 
龚建彪 ;
陈兴 ;
谢雨峰 ;
万瑾锡 .
中国专利 :CN119835958B ,2025-12-02
[8]
一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法 [P]. 
龚建彪 ;
陈兴 ;
谢雨峰 ;
万瑾锡 .
中国专利 :CN119835958A ,2025-04-15
[9]
基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法 [P]. 
徐哲 ;
王金延 ;
刘洋 ;
蔡金宝 ;
刘靖骞 ;
王茂俊 ;
谢冰 ;
吴文刚 .
中国专利 :CN103258739A ,2013-08-21
[10]
刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法 [P]. 
张志利 ;
张宝顺 ;
蔡勇 ;
付凯 ;
于国浩 ;
孙世闯 ;
宋亮 .
中国专利 :CN106158693A ,2016-11-23
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