一种增强型GaN HEMT环形栅下刻蚀器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110403835.1

申请日：

2021-04-15

公开(公告)号：

CN113161239A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

朱彦旭李建伟谭张杨李锜轩王猜魏昭

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2908 H01L29423 H01L29778

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

刘萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20210415
2021-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

董高峰 ;

刘志宏 ;

唐从威 ;

许美 ;

邢伟川 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118738116A ,2024-10-01

[2]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[3]

一种制备增强型GaN HEMT器件的凹槽栅刻蚀方法 [P].

林信南 ;

牛荣康 .

中国专利 :CN109841520A ,2019-06-04

[4]

沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510088A ,2021-03-16

[5]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030B ,2025-12-05

[6]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

李斌 ;

陈志坚 ;

黄沫 .

中国专利 :CN108538908B ,2018-09-14

[7]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030A ,2025-04-25

[8]

一种C:GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

李秋爽 ;

翟丽荔 ;

游淑珍 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119815864A ,2025-04-11

[9]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

[10]

环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

杨凌 ;

张濛 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112838120A ,2021-05-25

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