一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510103718.1

申请日：

2025-01-22

公开(公告)号：

CN119894030A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

李成超周斯加杨伟锋

申请人：

厦门大学厦门新镓能半导体科技有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/85 H01L21/223 H01L21/265 H01L21/306 H01L21/3065

代理机构：

厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101

代理人：

李明传

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-12-05	授权	授权
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250122

共 50 条

[1]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030B ,2025-12-05

[2]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

李思超 ;

柳俊 ;

贾汉祥 ;

程涛 ;

赵波 ;

刘力 .

中国专利 :CN120264802A ,2025-07-04

[3]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN111755332A ,2020-10-09

[4]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[5]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[6]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

李斌 ;

陈志坚 ;

黄沫 .

中国专利 :CN108538908B ,2018-09-14

[7]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[8]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

[9]

一种增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构 [P].

陈祖尧 .

中国专利 :CN116564812B ,2024-11-29

[10]

一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108231880B ,2018-06-29

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