一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510190135.7

申请日：

2025-02-20

公开(公告)号：

CN120264802A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

卢双赞李思超柳俊贾汉祥程涛赵波刘力

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/824 H10D64/27 H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

王晓丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	公开	公开
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250220

共 50 条

[1]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[2]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030B ,2025-12-05

[3]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030A ,2025-04-25

[4]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN111755332A ,2020-10-09

[5]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

尹雪兵 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN222261076U ,2024-12-27

[6]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[7]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

程永健 ;

李家辉 ;

姜奥旋 ;

马飞 .

中国专利 :CN119743971A ,2025-04-01

[8]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

李斌 ;

陈志坚 ;

黄沫 .

中国专利 :CN108538908B ,2018-09-14

[9]

一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

沈玲燕 ;

程新红 ;

郑理 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN115692411A ,2023-02-03

[10]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

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