增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311272791.9

申请日：

2023-09-27

公开(公告)号：

CN119743971A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

邹鹏辉王文博邱士起程永健李家辉姜奥旋马飞

申请人：

浙江集迈科微电子有限公司

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27 H10D62/10

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

卢炳琼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20230927
2025-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[2]

环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

杨凌 ;

张濛 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112838120A ,2021-05-25

[3]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

刘兴钊 ;

陈超 ;

李言荣 ;

张万里 .

中国专利 :CN102184943A ,2011-09-14

[4]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陆海 ;

曾昶琨 ;

徐尉宗 ;

任芳芳 ;

周东 .

中国专利 :CN113972263B ,2024-04-09

[5]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陆海 ;

曾昶琨 ;

徐尉宗 ;

任芳芳 ;

周东 .

中国专利 :CN113972263A ,2022-01-25

[6]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

黄火林 ;

曹菲 .

中国专利 :CN119364828A ,2025-01-24

[7]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595A ,2019-11-15

[8]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595B ,2024-09-06

[9]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[10]

包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

刘军 ;

郭浩民 .

中国专利 :CN119403169A ,2025-02-07

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