一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411511140.5

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119364828A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

王颖冯博明黄火林曹菲

申请人：

大连海事大学

申请人地址：

116026 辽宁省大连市凌海路1号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/824

代理机构：

北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562

代理人：

申亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省锦州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20241028
2025-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[2]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN210429824U ,2020-04-28

[3]

包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

刘军 ;

郭浩民 .

中国专利 :CN119403169A ,2025-02-07

[4]

包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

刘军 ;

郭浩民 .

中国专利 :CN119403169B ,2025-12-12

[5]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

程永健 ;

李家辉 ;

姜奥旋 ;

马飞 .

中国专利 :CN119743971A ,2025-04-01

[6]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陆海 ;

曾昶琨 ;

徐尉宗 ;

任芳芳 ;

周东 .

中国专利 :CN113972263B ,2024-04-09

[7]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陆海 ;

曾昶琨 ;

徐尉宗 ;

任芳芳 ;

周东 .

中国专利 :CN113972263A ,2022-01-25

[8]

环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

杨凌 ;

张濛 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112838120A ,2021-05-25

[9]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[10]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595A ,2019-11-15

← 1 2 3 4 5 →