一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111229966.9

申请日：

2021-10-20

公开(公告)号：

CN113972263A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

陆海曾昶琨徐尉宗任芳芳周东

申请人：

申请人地址：

210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

江苏法德东恒律师事务所 32305

代理人：

李媛媛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211020
2022-01-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陆海 ;

曾昶琨 ;

徐尉宗 ;

任芳芳 ;

周东 .

中国专利 :CN113972263B ,2024-04-09

[2]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

程永健 ;

李家辉 ;

姜奥旋 ;

马飞 .

中国专利 :CN119743971A ,2025-04-01

[3]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[4]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

黄火林 ;

曹菲 .

中国专利 :CN119364828A ,2025-01-24

[5]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595A ,2019-11-15

[6]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595B ,2024-09-06

[7]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

刘兴钊 ;

陈超 ;

李言荣 ;

张万里 .

中国专利 :CN102184943A ,2011-09-14

[8]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN210429824U ,2020-04-28

[9]

环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

杨凌 ;

张濛 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112838120A ,2021-05-25

[10]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

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