一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810297761.6

申请日：

2018-04-04

公开(公告)号：

CN108538908B

公开(公告)日：

2018-09-14

发明(设计)人：

卢星李斌陈志坚黄沫

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区五山华南理工大学30号楼

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295

代理人：

黄为

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-26	授权	授权
2021-12-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20211217 变更事项:专利权人变更前权利人:华南理工大学变更后权利人:江苏第三代半导体研究院有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市天河区五山华南理工大学30号楼变更后权利人:215124 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20180404
2018-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[2]

一种增强型GaN HEMT器件的制备方法 [P].

李妍仪 ;

刘志宏 ;

林珍华 ;

何佳琦 ;

毛佩玉 ;

周瑾 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119049971A ,2024-11-29

[3]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595A ,2019-11-15

[4]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595B ,2024-09-06

[5]

一种增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构 [P].

陈祖尧 .

中国专利 :CN116564812B ,2024-11-29

[6]

一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

梁世博 .

中国专利 :CN108376707A ,2018-08-07

[7]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

[8]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[9]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030B ,2025-12-05

[10]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

李思超 ;

柳俊 ;

贾汉祥 ;

程涛 ;

赵波 ;

刘力 .

中国专利 :CN120264802A ,2025-07-04

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