一种增强型GaN HEMT器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411166944.6

申请日：

2024-08-23

公开(公告)号：

CN119049971A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

李妍仪刘志宏林珍华何佳琦毛佩玉周瑾张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学西安电子科技大学广州研究院

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L21/335

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/423

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

弋才富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/335申请日:20240823
2024-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

李斌 ;

陈志坚 ;

黄沫 .

中国专利 :CN108538908B ,2018-09-14

[2]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

[3]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

尹雪兵 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN222261076U ,2024-12-27

[4]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[5]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[6]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[7]

一种新型增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法 [P].

张进城 ;

郑鹏天 ;

郝跃 ;

董作典 ;

王冲 ;

张金风 ;

吕玲 ;

秦雪雪 .

中国专利 :CN101252088A ,2008-08-27

[8]

一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法 [P].

武良文 .

中国专利 :CN110875386A ,2020-03-10

[9]

一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法 [P].

崔鹏 ;

汉多科·林纳威赫 ;

韩吉胜 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118099208B ,2024-07-09

[10]

一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法 [P].

崔鹏 ;

汉多科·林纳威赫 ;

韩吉胜 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118099208A ,2024-05-28

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