一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410508321.6

申请日：

2024-04-26

公开(公告)号：

CN118099208B

公开(公告)日：

2024-07-09

发明(设计)人：

崔鹏汉多科·林纳威赫韩吉胜徐现刚

申请人：

山东大学

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/16 H01L21/335

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

王楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240426
2024-07-09	授权	授权
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法 [P].

崔鹏 ;

汉多科·林纳威赫 ;

韩吉胜 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118099208A ,2024-05-28

[2]

一种新型增强型GaN HEMT器件结构 [P].

周炳 ;

翁加付 ;

施宁萍 ;

毛建达 .

中国专利 :CN114023816A ,2022-02-08

[3]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[4]

一种增强型GaN器件及其制造方法 [P].

易波 ;

赵青 ;

张千 ;

向勇 .

中国专利 :CN111653619A ,2020-09-11

[5]

一种增强型HEMT器件 [P].

罗小蓉 ;

熊佳云 ;

杨超 ;

魏杰 ;

吴俊峰 ;

彭富 ;

张波 .

中国专利 :CN105140270A ,2015-12-09

[6]

一种增强型GaN HEMT器件的制备方法 [P].

李妍仪 ;

刘志宏 ;

林珍华 ;

何佳琦 ;

毛佩玉 ;

周瑾 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119049971A ,2024-11-29

[7]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

李斌 ;

陈志坚 ;

黄沫 .

中国专利 :CN108538908B ,2018-09-14

[8]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN210429824U ,2020-04-28

[9]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

[10]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

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