一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410508321.6

申请日：

2024-04-26

公开(公告)号：

CN118099208B

公开(公告)日：

2024-07-09

发明(设计)人：

崔鹏汉多科·林纳威赫韩吉胜徐现刚

申请人：

山东大学

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/16 H01L21/335

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

王楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240426
2024-07-09	授权	授权
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[11]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

尹雪兵 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN222261076U ,2024-12-27

[12]

一种新型增强型GaN HEMT器件结构 [P].

翁加付 ;

周炳 .

中国专利 :CN112968059B ,2021-06-15

[13]

级联增强型HEMT器件 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 ;

邓旭光 .

中国专利 :CN106549050A ,2017-03-29

[14]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595A ,2019-11-15

[15]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN110459595B ,2024-09-06

[16]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

黄火林 ;

曹菲 .

中国专利 :CN119364828A ,2025-01-24

[17]

一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法 [P].

武良文 .

中国专利 :CN110875386A ,2020-03-10

[18]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[19]

降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件 [P].

于国浩 ;

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106206695A ,2016-12-07

[20]

一种增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构 [P].

陈祖尧 .

中国专利 :CN116564812B ,2024-11-29

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