一种新型增强型GaN HEMT器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110154220.X

申请日：

2021-02-04

公开(公告)号：

CN112968059B

公开(公告)日：

2021-06-15

发明(设计)人：

翁加付周炳

申请人：

申请人地址：

315500 浙江省宁波市奉化区经济开发区汇明路98号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335

代理机构：

宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33268

代理人：

王方华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	公开	公开
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210204
2022-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种新型增强型GaN HEMT器件结构 [P].

周炳 ;

翁加付 ;

施宁萍 ;

毛建达 .

中国专利 :CN114023816A ,2022-02-08

[2]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[3]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

[4]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

尹雪兵 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN222261076U ,2024-12-27

[5]

一种增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构 [P].

陈祖尧 .

中国专利 :CN116564812B ,2024-11-29

[6]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

[7]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030B ,2025-12-05

[8]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

李思超 ;

柳俊 ;

贾汉祥 ;

程涛 ;

赵波 ;

刘力 .

中国专利 :CN120264802A ,2025-07-04

[9]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李成超 ;

周斯加 ;

杨伟锋 .

中国专利 :CN119894030A ,2025-04-25

[10]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN111755332A ,2020-10-09

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