基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210131041.5

申请日：

2012-04-29

公开(公告)号：

CN102629624B

公开(公告)日：

2012-08-08

发明(设计)人：

张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756665901 IPC(主分类):H01L 29/778 专利号:ZL2012101310415 登记生效日:20170718 变更事项:专利权人变更前权利人:西安电子科技大学变更后权利人:云南凝慧电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:710071 陕西省西安市太白南路2号变更后权利人:650221 云南省昆明市大板桥街道办事处7号办公楼7-114室
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101331112979 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012101310415 申请日:20120429
2012-08-08	公开	公开
2014-08-20	授权	授权

共 50 条

[1]

MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

党李莎 ;

鲁明 ;

周昊 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

姜腾 .

中国专利 :CN102646705A ,2012-08-22

[2]

基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904111A ,2014-07-02

[3]

一种增强型GaN HEMT器件及制作方法 [P].

井亮 ;

何雍春 ;

向师乐 .

中国专利 :CN120224714A ,2025-06-27

[4]

一种增强型P型栅GaN HEMT器件的制作方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN107180759A ,2017-09-19

[5]

p型栅增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

张宝顺 ;

徐宁 ;

杜仲凯 .

中国专利 :CN108962752A ,2018-12-07

[6]

槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

陈珂 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

付小凡 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130160A ,2011-07-20

[7]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[8]

基于掺杂HfO2铁电栅介质的AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法 [P].

郝跃 ;

祝杰杰 ;

陈丽香 ;

马晓华 ;

刘捷龙 .

中国专利 :CN107316901A ,2017-11-03

[9]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[10]

加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103996707A ,2014-08-20

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