一种增强型P型栅GaN HEMT器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710587733.3

申请日：

2017-07-18

公开(公告)号：

CN107180759A

公开(公告)日：

2017-09-19

发明(设计)人：

林书勋

申请人：

申请人地址：

610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

徐丰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20170919
2017-09-19	公开	公开
2017-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20170718

共 50 条

[1]

p型栅增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

张宝顺 ;

徐宁 ;

杜仲凯 .

中国专利 :CN108962752A ,2018-12-07

[2]

p型栅增强型HEMT器件 [P].

张宝顺 ;

徐宁 ;

杜仲凯 .

中国专利 :CN208819832U ,2019-05-03

[3]

一种GaN HEMT器件的制作方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN107240549B ,2017-10-10

[4]

一种P型栅增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘宁炀 ;

刘云洲 ;

李祈昕 ;

赵维 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN117727630A ,2024-03-19

[5]

MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

党李莎 ;

鲁明 ;

周昊 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

姜腾 .

中国专利 :CN102646705A ,2012-08-22

[6]

基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

霍晶 ;

艾姗 ;

党李莎 ;

孟凡娜 ;

姜腾 ;

赵胜雷 .

中国专利 :CN102629624B ,2012-08-08

[7]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[8]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

[9]

一种实现p型栅增强型HEMT器件的方法 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

梁敬晗 .

中国专利 :CN111081545A ,2020-04-28

[10]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

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