一种增强型GaN HEMT器件及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311819688.1

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN120224714A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

井亮何雍春向师乐

申请人：

华润微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H01L21/56 H01L23/31 H10D62/10 H10D30/47

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20231226

共 50 条

[1]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

[2]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[3]

基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

霍晶 ;

艾姗 ;

党李莎 ;

孟凡娜 ;

姜腾 ;

赵胜雷 .

中国专利 :CN102629624B ,2012-08-08

[4]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

尹雪兵 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN222261076U ,2024-12-27

[5]

MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

党李莎 ;

鲁明 ;

周昊 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

姜腾 .

中国专利 :CN102646705A ,2012-08-22

[6]

一种增强型GaN HEMT器件的制备方法 [P].

李妍仪 ;

刘志宏 ;

林珍华 ;

何佳琦 ;

毛佩玉 ;

周瑾 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119049971A ,2024-11-29

[7]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

李斌 ;

陈志坚 ;

黄沫 .

中国专利 :CN108538908B ,2018-09-14

[8]

一种新型增强型GaN HEMT器件结构 [P].

翁加付 ;

周炳 .

中国专利 :CN112968059B ,2021-06-15

[9]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN210429824U ,2020-04-28

[10]

槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

陈珂 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

付小凡 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130160A ,2011-07-20

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