GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711278188.6

申请日：

2017-12-06

公开(公告)号：

CN109888008A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

赵杰付凯宋亮郝荣晖陈扶于国浩蔡勇张宝顺

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王茹;王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20171206
2022-02-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20190614
2019-06-14	公开	公开

共 50 条

[21]

一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法 [P].

何佳琦 ;

王仝 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789450B ,2025-12-12

[22]

一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法 [P].

何佳琦 ;

王仝 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789450A ,2025-04-08

[23]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[24]

P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法 [P].

王冲 ;

黄泽阳 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110676166B ,2020-01-10

[25]

一种p-GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法 [P].

任开琳 ;

杨翰林 ;

殷录桥 ;

张建华 .

中国专利 :CN117855258A ,2024-04-09

[26]

GaN基增强型HEMT器件的制备方法 [P].

周宇 ;

钟耀宗 ;

孙钱 ;

冯美鑫 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107768248A ,2018-03-06

[27]

一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

梁世博 .

中国专利 :CN108376707A ,2018-08-07

[28]

一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法 [P].

尹杰 ;

雷嘉成 .

中国专利 :CN119767724A ,2025-04-04

[29]

一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法 [P].

尹杰 ;

雷嘉成 .

中国专利 :CN119767724B ,2025-11-21

[30]

一种P-GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法 [P].

周星宇 ;

李全春 ;

钟泽 ;

何开文 ;

陈波 .

中国专利 :CN120379293A ,2025-07-25

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