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一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411643959.7
申请日：
2024-11-18
公开(公告)号：
CN119789450A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
何佳琦 王仝 刘志宏 周瑾 冯欣 杜航海 张苇杭 邢伟川 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D64/01 H10D64/27
代理机构：
深圳科润知识产权代理事务所(普通合伙) 44724
代理人：
刘强强
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241118
2025-04-08 公开 公开
2025-12-12 授权 授权
共 50 条
[1]
一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法 [P]. 
何佳琦 ;
王仝 ;
刘志宏 ;
周瑾 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
张苇杭 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789450B ,2025-12-12
[2]
一种T型P-GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王仝 ;
何佳琦 ;
刘志宏 ;
周瑾 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
张苇杭 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789465A ,2025-04-08
[3]
GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P]. 
赵杰 ;
付凯 ;
宋亮 ;
郝荣晖 ;
陈扶 ;
于国浩 ;
蔡勇 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14
[4]
降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法 [P]. 
施媛媛 ;
张敏 ;
倪志龙 ;
王彪 .
中国专利 :CN113363320A ,2021-09-07
[5]
基于p-GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS-HEMT器件及其制作方法 [P]. 
敖金平 ;
蒲涛飞 ;
王霄 ;
补钰煜 ;
刘辰阳 .
中国专利 :CN109244130A ,2019-01-18
[6]
基于P-GaN HEMT T型栅高频器件结构及其制备方法和应用 [P]. 
张晓东 ;
张辉 ;
张佩佩 ;
于国浩 ;
蔡勇 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN108346695A ,2018-07-31
[7]
一种自对准T型栅GaN基HEMT器件结构及制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
王仝 ;
李振元 ;
周瑾 ;
危虎 ;
吴银河 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119208370A ,2024-12-27
[8]
一种P-GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法 [P]. 
周星宇 ;
李全春 ;
钟泽 ;
何开文 ;
陈波 .
中国专利 :CN120379293A ,2025-07-25
[9]
p-GaN基增强型HEMT器件 [P]. 
金峻渊 ;
魏进 .
中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07
[10]
GaN基HEMT器件及其制作方法 [P]. 
谭庶欣 .
中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02
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