一种P-GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510516431.1

申请日：

2025-04-23

公开(公告)号：

CN120379293A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

周星宇李全春钟泽何开文陈波

申请人：

红与蓝微电子（上海）有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区海基六路99弄24、30号8层803室与804室

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/824 H10D64/23

代理机构：

上海众象合一知识产权代理有限公司 31395

代理人：

杨传武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250423
2025-07-25	公开	公开

共 50 条

[1]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[2]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

[3]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19

[4]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

[5]

一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

吴勇 ;

陆俊 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

葛林男 ;

严伟伟 ;

何滇 ;

曾文秀 ;

王俊杰 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN111564490B ,2020-08-21

[6]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[7]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[8]

降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法 [P].

施媛媛 ;

张敏 ;

倪志龙 ;

王彪 .

中国专利 :CN113363320A ,2021-09-07

[9]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[10]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

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