P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810709666.2

申请日：

2018-07-02

公开(公告)号：

CN110676166B

公开(公告)日：

2020-01-10

发明(设计)人：

王冲黄泽阳何云龙郑雪峰马晓华郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 H01L29423 H01L29207

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

孙涛涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-10	公开	公开
2020-12-22	授权	授权
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20180702

共 50 条

[1]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[2]

基于鳍形栅结构的p-GaN/AlGaN/GaN增强型器件及其制作方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111029404A ,2020-04-17

[3]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[4]

原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

何云龙 ;

郝跃 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102945860A ,2013-02-27

[5]

基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法 [P].

沈玲燕 ;

程新红 ;

郑理 ;

张栋梁 ;

王谦 ;

顾子悦 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN110277445B ,2024-08-20

[6]

基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法 [P].

沈玲燕 ;

程新红 ;

郑理 ;

张栋梁 ;

王谦 ;

顾子悦 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN110277445A ,2019-09-24

[7]

MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

党李莎 ;

鲁明 ;

周昊 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

姜腾 .

中国专利 :CN102646705A ,2012-08-22

[8]

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

郝跃 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102938413A ,2013-02-20

[9]

GaN基鳍栅增强型器件及其制作方法 [P].

李培咸 ;

翟少鹏 ;

霍荡荡 ;

张濛 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106887454A ,2017-06-23

[10]

一种新型P-GaN栅结构的增强型器件及其制作方法 [P].

郑雪峰 ;

陈轶昕 ;

王士辉 ;

吉鹏 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN108899366B ,2018-11-27

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