AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210476553.5

申请日：

2012-11-21

公开(公告)号：

CN102938413A

公开(公告)日：

2013-02-20

发明(设计)人：

王冲郝跃何云龙郑雪峰马晓华张进城

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21335 H01L2128

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:西安电子科技大学变更后权利人:云南凝慧电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:710071 陕西省西安市太白南路2号变更后权利人:650221 云南省昆明市大板桥街道办事处7号办公楼7-114室号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101743582118 IPC(主分类):H01L 29/778 专利号:ZL2012104765535 登记生效日:20161129
2015-05-27	授权	授权
2013-02-20	公开	公开
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101422523648 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012104765535 申请日:20121121

共 50 条

[1]

原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

何云龙 ;

郝跃 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102945860A ,2013-02-27

[2]

基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904111A ,2014-07-02

[3]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[4]

一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 [P].

段宝兴 ;

袁嵩 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104167440B ,2014-11-26

[5]

结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

杨珞云 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN113707708A ,2021-11-26

[6]

槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

陈珂 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

付小凡 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130160A ,2011-07-20

[7]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206697485U ,2017-12-01

[8]

InA1N/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法 [P].

王冲 ;

郝跃 ;

张金凤 ;

陈军峰 ;

张进城 ;

冯倩 .

中国专利 :CN101246902A ,2008-08-20

[9]

一种增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 [P].

段宝兴 ;

袁嵩 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104167441B ,2014-11-26

[10]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

程永健 ;

李家辉 ;

姜奥旋 ;

马飞 .

中国专利 :CN119743971A ,2025-04-01

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