结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110843929.0

申请日：

2021-07-26

公开(公告)号：

CN113707708A

公开(公告)日：

2021-11-26

发明(设计)人：

段宝兴杨珞云杨银堂

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

唐沛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-26	公开	公开
2021-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210726

共 50 条

[1]

氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

张亚松 ;

谢书浩 ;

张健行 ;

高海霞 ;

许晟瑞 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨凌 ;

马晓华 .

中国专利 :CN107240604A ,2017-10-10

[2]

具有积累层外延栅极MIS结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

杨珞云 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN113707709A ,2021-11-26

[3]

薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

何文龙 ;

张亚松 ;

李鹏 ;

戴峰 ;

马晓华 ;

郝跃 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨眉 ;

毛维 ;

许晟瑞 .

中国专利 :CN105931999A ,2016-09-07

[4]

氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其方法 [P].

沈飞宇 ;

于国浩 ;

张晓东 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109065453A ,2018-12-21

[5]

一种p‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 [P].

段宝兴 ;

郭海君 ;

谢慎隆 ;

袁嵩 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN106783962A ,2017-05-31

[6]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[7]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[8]

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

马晓华 ;

曹艳荣 ;

郝跃 ;

高海霞 ;

王冲 ;

杨凌 .

中国专利 :CN101853880B ,2010-10-06

[9]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

裴轶 .

中国专利 :CN105655395B ,2016-06-08

[10]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

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