增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610331114.3

申请日：

2016-05-18

公开(公告)号：

CN105845723B

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

黄森刘新宇王鑫华魏珂

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

张瑾

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-15	授权	授权
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677912202 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2016103311143 申请日:20160518
2016-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

葛梅 .

中国专利 :CN112951911A ,2021-06-11

[2]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

赵文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118763108A ,2024-10-11

[3]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

赵文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118763108B ,2024-12-31

[4]

高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭志友 ;

李渊 ;

夏凡 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

夏晓宇 ;

张淼 .

中国专利 :CN111682064B ,2020-09-18

[5]

GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118522763A ,2024-08-20

[6]

增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

闫发旺 ;

王庆宇 ;

赵倍吉 .

中国专利 :CN111640672A ,2020-09-08

[7]

GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

马欢 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118692913A ,2024-09-24

[8]

MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

党李莎 ;

艾姗 ;

李小刚 ;

鲁明 .

中国专利 :CN102637726A ,2012-08-15

[9]

半导体结构、增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

罗剑生 ;

陈建国 .

中国专利 :CN111952176A ,2020-11-17

[10]

氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

张亚松 ;

谢书浩 ;

张健行 ;

高海霞 ;

许晟瑞 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨凌 ;

马晓华 .

中国专利 :CN107240604A ,2017-10-10

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