一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411245537.4

申请日：

2024-09-06

公开(公告)号：

CN118763108A

公开(公告)日：

2024-10-11

发明(设计)人：

侯合林谢志文赵文陈铭胜文国昇金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/335

代理机构：

南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150

代理人：

岳晨斯

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	授权	授权
2024-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240906
2024-10-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

赵文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118763108B ,2024-12-31

[2]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[3]

半导体结构、增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

罗剑生 ;

陈建国 .

中国专利 :CN111952176A ,2020-11-17

[4]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689A ,2024-11-22

[5]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN121038320A ,2025-11-28

[6]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16

[7]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689B ,2025-03-14

[8]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671B ,2025-09-16

[9]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671A ,2022-12-13

[10]

增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

邰翰忠 .

中国专利 :CN117374112A ,2024-01-09

← 1 2 3 4 5 →