半导体结构、增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010824731.3

申请日：

2020-08-17

公开(公告)号：

CN111952176A

公开(公告)日：

2020-11-17

发明(设计)人：

罗剑生陈建国

申请人：

申请人地址：

518172 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L213065 H01L29778

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

熊文杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-17	公开	公开
2020-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20200817

共 50 条

[1]

增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件 [P].

黄宇亮 ;

程哲 ;

张连 ;

张韵 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN105720097A ,2016-06-29

[2]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[3]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

赵文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118763108A ,2024-10-11

[4]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

赵文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118763108B ,2024-12-31

[5]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671B ,2025-09-16

[6]

增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

林永豪 .

中国专利 :CN109524454B ,2019-03-26

[7]

增强型高电子迁移率晶体管结构 [P].

黄彦纶 ;

孙健仁 ;

李依晴 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106486544A ,2017-03-08

[8]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671A ,2022-12-13

[9]

高电子迁移率晶体管及其制备方法、半导体器件 [P].

胡俊杰 .

中国专利 :CN115101595A ,2022-09-23

[10]

增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

邰翰忠 .

中国专利 :CN117374112A ,2024-01-09

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