增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710839084.1

申请日：

2017-09-18

公开(公告)号：

CN109524454B

公开(公告)日：

2019-03-26

发明(设计)人：

邱建维林鑫成林永豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;贾磊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	公开	公开
2019-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20170918
2022-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

增强型高电子迁移率晶体管元件及其形成方法 [P].

朱桂逸 ;

林恒光 .

中国专利 :CN109980000A ,2019-07-05

[2]

增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

邰翰忠 .

中国专利 :CN117374112A ,2024-01-09

[3]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

宋俊汉 ;

许荣豪 ;

廖昱安 ;

张家铭 .

中国专利 :CN115132840A ,2022-09-30

[4]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

余俊磊 ;

杨富智 ;

陈柏智 ;

许竣为 .

中国专利 :CN103545360A ,2014-01-29

[5]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱汉钦 ;

陈祈铭 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103915492A ,2014-07-09

[6]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

许竣为 ;

余俊磊 ;

熊志文 ;

杨富智 .

中国专利 :CN103094335A ,2013-05-08

[7]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[8]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

韦维克 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN108122968B ,2018-06-05

[9]

增强型高电子迁移率晶体管结构 [P].

黄彦纶 ;

孙健仁 ;

李依晴 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106486544A ,2017-03-08

[10]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

许竣为 ;

余俊磊 ;

姚福伟 ;

游承儒 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 .

中国专利 :CN103187436B ,2013-07-03

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