高电子迁移率晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210042249.X

申请日：

2012-02-22

公开(公告)号：

CN103094335A

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

黄敬源游承儒姚福伟许竣为余俊磊熊志文杨富智

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;房岭梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101468527722 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:201210042249X 申请日:20120222
2013-05-08	公开	公开
2016-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

余俊磊 ;

杨富智 ;

陈柏智 ;

许竣为 .

中国专利 :CN103545360A ,2014-01-29

[2]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱汉钦 ;

陈祈铭 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103915492A ,2014-07-09

[3]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

刘柏均 ;

陈祈铭 ;

喻中一 .

中国专利 :CN104009074A ,2014-08-27

[4]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

余俊磊 ;

陈柏智 ;

杨富智 .

中国专利 :CN103579328A ,2014-02-12

[5]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

许竣为 ;

余俊磊 ;

姚福伟 ;

游承儒 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 .

中国专利 :CN103187436B ,2013-07-03

[6]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

姚福伟 ;

游承儒 ;

黄敬源 ;

许竣为 ;

余俊磊 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 .

中国专利 :CN103367418B ,2013-10-23

[7]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

江振豪 ;

邱汉钦 ;

刘柏均 ;

陈祈铭 ;

喻中一 .

中国专利 :CN103579327A ,2014-02-12

[8]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

许竣为 ;

余俊磊 ;

姚福伟 ;

游承儒 ;

陈柏智 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN103187441A ,2013-07-03

[9]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

宋俊汉 ;

许荣豪 ;

廖昱安 ;

张家铭 .

中国专利 :CN115132840A ,2022-09-30

[10]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

胡俊杰 .

中国专利 :CN112885901A ,2021-06-01

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