高电子迁移率晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310228868.2

申请日：

2013-06-08

公开(公告)号：

CN104009074A

公开(公告)日：

2014-08-27

发明(设计)人：

刘柏均陈祈铭喻中一

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	公开	公开
2014-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587077128 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013102288682 申请日:20130608
2017-07-14	授权	授权

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

余俊磊 ;

陈柏智 ;

杨富智 .

中国专利 :CN103579328A ,2014-02-12

[2]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

余俊磊 ;

杨富智 ;

陈柏智 ;

许竣为 .

中国专利 :CN103545360A ,2014-01-29

[3]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱汉钦 ;

陈祈铭 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103915492A ,2014-07-09

[4]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

许竣为 ;

余俊磊 ;

熊志文 ;

杨富智 .

中国专利 :CN103094335A ,2013-05-08

[5]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

黄仁俊 ;

崔赫洵 ;

吴在浚 ;

河种奉 ;

金钟燮 ;

洪起夏 ;

申在光 .

中国专利 :CN102916044A ,2013-02-06

[6]

高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法 [P].

张坤好 ;

N·乔杜里 .

中国专利 :CN111727507A ,2020-09-29

[7]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

包琦龙 ;

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103681831B ,2014-03-26

[8]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

全佑彻 .

中国专利 :CN103579329A ,2014-02-12

[9]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

曾彦钧 ;

王资文 ;

陈权威 .

中国专利 :CN118173591A ,2024-06-11

[10]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

肖金平 ;

逯永建 ;

闻永祥 ;

贾利芳 .

中国专利 :CN111146283A ,2020-05-12

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