高电子迁移率晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210256482.8

申请日：

2012-07-23

公开(公告)号：

CN102916044A

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

黄仁俊崔赫洵吴在浚河种奉金钟燮洪起夏申在光

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L23373 H01L21335

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	公开	公开
2018-03-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20130206
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584604229 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012102564828 申请日:20120723

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

刘柏均 ;

陈祈铭 ;

喻中一 .

中国专利 :CN104009074A ,2014-08-27

[2]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

余俊磊 ;

陈柏智 ;

杨富智 .

中国专利 :CN103579328A ,2014-02-12

[3]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

连羿韦 ;

郑韦志 ;

沈士强 ;

蔡信锠 .

中国专利 :CN118136658A ,2024-06-04

[4]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

包琦龙 ;

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103681831B ,2014-03-26

[5]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

全佑彻 .

中国专利 :CN103579329A ,2014-02-12

[6]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

曾彦钧 ;

王资文 ;

陈权威 .

中国专利 :CN118173591A ,2024-06-11

[7]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

肖金平 ;

逯永建 ;

闻永祥 ;

贾利芳 .

中国专利 :CN111146283A ,2020-05-12

[8]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

J·德鲁茵 ;

P·K·坎德萨米 .

:CN119137727A ,2024-12-13

[9]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

邹振东 ;

郑韦志 ;

李家豪 .

中国专利 :CN119029019A ,2024-11-26

[10]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

张铭宏 ;

黄敬源 ;

邱汉钦 ;

廖航 .

中国专利 :CN109817710A ,2019-05-28

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